DWL 66⁺ 具有無與倫比的多功能性、專業級灰度功能以及市場上所有雷射直寫系統中最高的解析度。

作為一個高度通用的系統，DWL 66⁺ 專為微機電系統、微電子、微流道、感測器、光學、光子學、光伏、材料科學、量子設備等領域的研發和快速原型設計而設計，幾乎適用於任何需要微結構製造的應用。

主要功能

• 200 奈米最小特徵尺寸的高解析度模式
  我們的寫入模式 XR 可提供無與倫比的解析度、品質和速度組合。

• 65,536 級灰度曝光
  可在厚度達 150 µm 的光阻中進行灰度曝光，並具有出色的表面品質。

• 完全可定制的系統組態
  30 年的持續開發和 400 多台已安裝設備，使 DWL 66⁺ 成為市場上功能最全面、最成熟的系統。

將光學光刻技術提升到一個新水準

DWL 66⁺ 不僅僅是光罩對準器的替代品，它還是一種升級產品，能將精度、解析度和結構保真度提高到一個新的水準。這種無光罩系統將大大縮短開發新設備所需的時間，並帶來新的可能性。

• 即時更改設計
  修改 CAD 檔並立即開始曝光。沒有與光罩相關的成本、工作量、等待時間或安全風險。

• 多種基底相容性
  DWL 66⁺ 不僅能在標準晶片或晶圓上曝光，還能在任何材料、尺寸、厚度或形狀的基底上曝光，包括曲面。

• 減少電子束光刻系統的工作量
  在許多情況下，DWL 66⁺ 可以執行以前需要電子束光刻系統才能完成的曝光，從而將電子束解放出來，用於要求更高的任務。

毫不妥協的曝光品質

DWL 66⁺ 是專為研發而設計的，但它採用了我們工業生產系統的核心技術，以確保最高水準的精度和可重複性。

• 受控環境
  DWL 66⁺ 系統包括一個層流箱，可最大限度地減少微粒污染，並確保暴露期間的熱穩定性。

• 干涉位置控制
  高解析度干涉儀與即時光束位置校正相結合，確保了圖案放置的準確性和結構的真實性。

• 即時自動對焦系統
  DWL 66⁺ 包括常見的光學自動對焦系統，但通過專有的輔助自動對焦系統進行了增強，該系統的功能獨立於光學回饋。這樣，即使在透明或低反射率基底上也能實現精確對焦。

品質與生產率的優化組合

DWL 66⁺ 不會為了提高產量而降低曝光品質。寫入速度為最高品質設置，寫入時間不取決於曝光區域內的填充係數、形狀或結構數量。

• 可交換寫入模式
  輕鬆切換寫入模式，優化解析度和輸送量，滿足您的應用需求。

• 專有軟體和硬體
  直觀的使用者介面，加上優化的設計準備和快速的資料轉換，實現了從設置到曝光的快速工作流程。

• 全自動化
  DWL 66⁺ 的操作可通過自動正面或背面校準以及盒到盒處理系統實現全自動化。

DWL 2000GS和4000 GS 雷射直寫系統具有快速、靈活的高解析度，能夠達到灰階曝光的專業表現。灰階曝光能夠在厚度較大的光刻膠中創建複雜的2.5D微結構。灰階曝光模式的最常見應用包括製造用於通信或微光機電的晶圓光學元件；也被用於顯示器製造和生醫科學設備的製造。

除了灰階曝光外，DWL系列還能以最高分辨率的500 nm最小特徵大小進行二進制2維曝光。這些系統提供了完美的解決方案，如果您需要在微機電(MEMS)、BioMEMS、微光學、積體電路(ASIC)、微流道、感測器和全息圖等領域中，對光罩或晶片進行高通量的圖案，它們的書寫區域可達400 mm x 400 mm，並帶有選配自動載入系統。

The DWL 2000 and 4000 GS laser lithography systems constitute fast, flexible high-resolution pattern generators, capable of the Professional performance level of Grayscale Lithography. The latter allows the creation of complex 2.5D structures in thick photoresist over large areas. Most common applications of the Grayscale exposure mode include the fabrication of wafer level optics used for telecommunication or illumination market segments; it is also used in display manufacturing, and in device fabrication in Biology and the Life Sciences.

In addition to Grayscale, the DWL series tools excel at binary 2D exposures, down to the highest resolution with a minimum feature size of 500 nm. With a write area of up to 400 mm x 400 mm and the optional automatic loading system, these systems provide the perfect solution if you require high-throughput patterning of masks and wafers in MEMS, BioMEMS, Micro Optics, ASICs, Micro Fluidics, Sensors, and CGHs.